【2024年12月6日ハイブリッド開催】第118回研究会「大口径SiCウェハ加工技術の最新動向とビジネス展開」

200mm口径SiCウェハの製造・量産が開始され、これを機にxEV向けのSiCパワーデバイスの

本格量産が始まるとされる。SiCパワーデバイスのさらなる高性能化・高信頼性化、

そして低コスト化には、そこで使用されているSiC単結晶ウェハのさらなる

高品質化・低コスト化が必要不可欠である。

本講演会では、日本および世界の企業・大学で30年以上、SiC単結晶ウェハの研究を

続けてこられた関西学院大の大谷 昇教授に、SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開

について解説いただくと共に、ウェハ加工の低コスト化のキーテクノロジーである

スライシング技術、研削・研磨技術研究の第一人者に最新技術動向を解説していただき、

SiC単結晶ウェハ開発において今後取り組むべき技術課題を議論する。

 

主　催：公益社団法人砥粒加工学会 次世代固定砥粒加工プロセス専門委員会

日　時：2024年12月6日(金)13:00～17:00

開催方式：TKP東京駅カンファレンスセンター（対面）とCisco Webex Meeting（Web）

のハイブリッド形式で開催します。

〒103-0028 東京都中央区八重洲1-8-16 新槇町ビル1階

https://www.kashikaigishitsu.net/facilitys/cc-tokyoeki-central/

※ 講演者には開催前の状況により，対面かWeb のどちらでの講演かを選択して頂きます。

※ Web開催に関する詳細情報は、参加ご希望の方に後日通知いたします。

13:00～13:05　　開会挨拶　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　

委員長　日本大学　山田　高三 氏

13:05～13:55　　講演１　「SiC単結晶ウェハのマーケット及び技術動向」　

関西学院大学　大谷　昇 氏

13:55～14:45　　講演２　「SiCのワイヤソー切断技術と新加工法への展開」             

㈱安永　　乾　義孝 氏

14:45～15:05　 ＜休　憩＞

15:05～15:55　　講演３　「SiCに対するレーザスライシングの実現可能性」

埼玉大学　山田　洋平 氏

15:55～16:45　　講演４　「SiCの大口径化と最新研削研磨加工技術」

㈱東京精密　五十嵐　健二 氏

16:45～16:55　　閉会挨拶・事務連絡　

17:10～19:10　　技術交流会（東京駅付近予定）

参加費：研究会：当専門委員会会員：無料，非会員：15,400円（税抜額14,000円＋消費税1,400円）,

非会員アカデミア：6,600円（税抜額 6,000円+消費税 600円），学生：無料

※会員は5人／社まで、非会員は2人／社まで研究会に参加できます。

技術交流会：会員資格に関わらず２名／社まで参加できます。3人目からは4,950円／人

（税抜額4,500円＋消費税450円）を徴収します。

（注）「会員」とは専門委員会会員を指します。学会員ではございませんのでご注意下さい。

申込締切日：2024年11月21日(木)

（注）当日キャンセルの非会員には、すでに準備に費用がかかっているため参加費を請求致します。

問合せ/申込先：当専門委員会事務局　

・FAX：048-858-3709，E-mail : sf-office@mech.saitama-u.ac.jp

・申し込みはホームページよりお願いいたします。→https://jsat-sf.jp/event.html