2023年(公社)砥粒加工学会賛助会員会 第2回技術交流会 『新しい半導体材料の開発とそれを支えるウェハ加工技術』

　　　　　2023年(公社)砥粒加工学会賛助会員会
　　　　　　　　第2回技術交流会のご案内 
　― 新しい半導体材料の開発とそれを支えるウェハ加工技術 ―

【主旨】
　新たに産業応用を始める半導体材料の開発とそれを支える加工技術を題材に，パワー半導体向けに産業応用が始まったばかりのβ酸化ガリウム, これからウェハの生産技術や規格が議論されるダイヤモンド，さらに新材料を含む様々な半導体デバイスを集積し超短納期製作するミニマルファブ生産システムについて取り上げます．新たな半導体材料及びウェハの成り立ちや新規開発における課題について話題提供をいただくとともに，話題提供者を囲んでディープディスカッションを行います．活発で有意義な技術交流会とするために，賛助会員の皆様はもちろんのこと，このテーマに関心をお持ちの幅広い分野の技術者・研究者の皆様にご参加いただきたく，よろしくお願い申し上げます．

【日時】 2023年12月22日（金） 13:00～16:30 (12:30 開場予定)

【開催方法】 対面およびオンライン(WebEX)でのハイブリット開催
　　　　　　※URL(WebEX)等の詳細は後日ご連絡いたします．

【会場】 中央大学 後楽園キャンパス 6号館 4階 6429教室
　　　　 〒112-8551 東京都文京区春日1-13-27 (https://www.chuo-u.ac.jp/access/kourakuen/)

【内容】 13:00～13:05 開会挨拶
       13:05～13:55 Ga2O3 結晶技術の現状と課題
                   講演者：ノベルクリスタルテクノロジー株式会社　　　　渡辺 信也 氏
       14:00～14:50 ホモエピタキシャルダイヤモンドウェハの作製技術開発
                   講演者：国立研究開発法人 産業技術総合研究所　　　　  山田 英明 氏
       14:50～15:00 (休憩)
       15:00～15:50 ミニマルファブによる新材料ウェハ・デバイス開発が切り拓く半導体産業の革新的展望
                   講演者：株式会社Hundred Semiconductors　　　　　　  居村 史人 氏
       15:55～16:25 ディープディスカッション
       16:25～16:30 閉会挨拶
       17:00～18:30 情報交換会 (場所未定)

　＊資料は電子版のみをオンラインで事前配布予定です．
　＊当日の撮影・録画はご遠慮願います．
　＊オンラインでの各講師への質問はWebEXのチャットを使用して質問していただきます．

【参加費】賛助会員, シニア会員：5,000円 (税抜 4,546円＋税454円)
　　　　   学会正会員：10000円 (税抜9,091円＋税909円)
　　　　   非会員：15,000円 (税抜13,637円＋税1,363円)
　　　　   学生：3,000円 (税抜2,727円＋税273円) (学会員, 非会員共)
　＊消費税区分は全て10%，同一会社にて複数名申込の場合税抜き合算後の消費税加算となります．

【定員】 対面参加50名, オンライン参加200名
　　　(先着順で定員になり次第締め切ります, 対面が定員の際にはオンライン参加への変更をお願いする場合があります)

【申込締切】 2023年12月11日(月)

【申込先】 下記のお申込用WEBサイトよりお申し込み下さい．
                   https://www.jsat.or.jp/sanjo231222

【問合先】 （公社）砥粒加工学会　〒169-0073　
　　　　　　東京都新宿区百人町2-22-17セラミックスビル4F
　　　　　　TEL: 03-3362-4195，FAX: 03-3368-0902，E-mail：staff@jsat.or.jp